Не фізичний щит
d- і особливо f-електрони відносно слабко екранують зовнішні електрони. Це сприяє лантаноїдному стисканню й пояснює частину нетривіальних розмірів важких елементів.
Внутрішні оболонки
Екранування разом із проникненням і Z_eff формує тренди атомних радіусів, енергій іонізації та доступності валентних станів. Одна з цих трьох ідей без двох інших часто дає надто спрощене пояснення.
Проникнення
Після утворення зв’язку електронна густина перерозподіляється між атомами. Атомне поняття екранування залишається корисним, але точніша картина потребує молекулярних орбіталей або електронної густини всього об’єкта.
Електрони однієї оболонки
Якщо проста схема не передбачає експериментальний результат, треба перевірити нову підоболонку, спарювання, релятивістські ефекти чи зміну конфігурації. Виняток — сигнал уточнити модель, а не ігнорувати дані.
Не фізичний щит
Під час заповнення 4f-підоболонки заряд ядра послідовно зростає, але f-електрони екранують його неідеально. Зовнішні електрони тому відчувають поступове посилення притягання, а радіуси лантаноїдів зменшуються сильніше, ніж очікує проста схема «нова електронна оболонка компенсує нові протони». Наслідок переноситься і на 5d-елементи, розміри яких часто близькі до відповідних 4d-аналогів.
Екранування разом із проникненням і Z_eff формує тренди атомних радіусів, енергій іонізації та доступності валентних станів. Одна з цих трьох ідей без двох інших часто дає надто спрощене пояснення.