Ефективний заряд ядра

Ефективний заряд ядра Z_ефф описує, наскільки сильно конкретний електрон у багатоелектронному атомі в середньому притягується до ядра. Реальний ядерний заряд дорівнює +Зе, але інші електрони частково екранують це притягання. У простій моделі Z_ефф≈Z−S, де S — константа екранування.

Ефективний заряд ядраZ_ефф ≈ Z − S
Це не новий реальний заряд. У ядрі й далі Z протонів. Z_ефф не означає зменшення кількість протонів, а є ефективний параметр для чисте тяжіння, яке відчуває вибраний електрон.

Це не новий реальний заряд

У ядрі й далі Z протонів. Z_ефф не означає зменшення кількість протонів, а є ефективний параметр для чисте тяжіння, яке відчуває вибраний електрон.

Електрони на різних орбіталі того самого атом можуть відчувати різний Z_ефф через відмінні проникнення і радіальний розподіл.

Екранування і проникнення

Основні електрони зазвичай ближче до ядро і послаблюють тяжіння для зовнішні електрони. Екранування однієї оболонки слабше.

Для однакового n типовий порядок проникнення s>p>d>f. Тому ns електрон може відчувати більший ефективне ядерне тяжіння, ніж np.

Результат

Результат:

Тренд у періоді

Зліва направо Z зростає, а нові валентні електрони додаються приблизно в ту саму основна оболонка.

Екранування не зростає так швидко, як ядерний заряд, тому Z_ефф валентних електрони загалом збільшується. Це сприяє зменшенню атомний радіус і росту енергія іонізації.

Ефективний заряд ядрапроникнення: s > p > d > f
Екранування і проникнення. Основні електрони зазвичай ближче до ядро і послаблюють тяжіння для зовнішні електрони. Екранування однієї оболонки слабше.

Тренд униз групою

Униз групою додаються зайняті снарядами. Ядерний заряд збільшується, але зростають також відстань і екранування.

Тому правило «більший Z завжди означає менший атом» без урахування n не працює.

Правила Слейтера

Правила Слейтера дають напівемпіричну оцінку S. Вони корисні для тенденції, але не є точний квантовий розрахунок.

У реальному багатоелектронне екранування атомів визначається хвильові функції, орбітальні форми та електронна кореляція.

d- і f-екранування

d і особливо f електрони екранують зовнішні електрони гірше, ніж припускає проста підрахунок снарядів картина.

Бідний 4f екранування є важливою причиною скорочення лантаноїдів і впливає на радіуси 5d елементів.

Зв’язок із властивостями

Більший Z_ефф зазвичай означає сильніше тяжіння, менший характерний радіус і складніше видалення електронів.

Але оболонка/структура підоболонки та створення пари створюють винятки, тому Z_ефф не є єдиним поясненням усіх періодичні тренди.

Як перевіряти модель

Z_ефф не є однією безпосередньо вимірюваною константою атом. Його оцінюють моделями, а вплив бачать у орбітальні енергії, енергії іонізації та радіальні розподіли.

Одне S не можна застосовувати до всіх електрони: екранування залежить від орбітальне проникнення і того, які електрони лежать усередині її радіальний розподіл.

Розібраний приклад

Проста модель

Z=11, S=8,8.

Розв’язання

Z_ефф≈2,2.

Через період

Що відбувається з валентність Z_ефф?

Розв’язання

Загалом зростає.

проникнення

Що сильніше проникає, 3s чи 3p?

Розв’язання

3s.